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Nome: | Peças sobresselentes do implante do íon do tungstênio | Aplicação: | Semicondutor, implantação de íon |
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Forma: | De acordo com desenhos | Densidade: | 19.1g/cm3 |
Padrão: | ASTM B760-1 | Pureza: | 99,95% |
Material: | Tungstênio | Superfície: | À terra, feito à máquina |
Realçar: | 99,95% peças feitas à máquina tungstênio,99 |
99,95% semicondutor de processamento feito sob encomenda Ion Implantation Accessories do tungstênio
As peças da implantação de íon do tungstênio são uma nova geração de alta tecnologia para o tratamento de superfície material.
A implantação de íon é um processo de baixa temperatura com que os íons de um elemento são acelerados em um alvo contínuo, mudando desse modo as propriedades do exame, as químicas ou as elétricas do alvo. A implantação de íon é usada na fabricação do dispositivo de semicondutor, no tratamento de superfície do metal e na pesquisa da ciência de material.
O implanter do íon é o equipamento chave em fazer o circuito integrado. Quando os feixes de íon que estão sendo disparados na superfície do semicondutor e depositados, a concentração de portador e o tipo da condução forem mudados. Possuindo a sua alteração de superfície excelente, a implantação de íon é aplicada extensamente no material semi de condução, no metal, na cerâmica, no polímero alto-molecular, na implantação de íon etc. é essencial em fazer o circuito integrado maciço (IC). As peças do molibdênio são componentes-chave no sistema da fonte de íon de implanter do íon do semicondutor para conter e proteger o componente da implantação de íon do raio de ionização. .molybdenum para o implanter do íon.
Especificação e composições quimicas
Material | Tipo | Composição quimica (por peso) |
Tungstênio puro | W1 | >99.95%min. Mo |
Liga de cobre do tungstênio | WCu | Cu de 10%~50%/50%~90% W |
Liga pesada de Tungten | WNiFe | 1.5% - 10% Ni, Fe, Mo |
Liga pesada de Tungten | WNiCu | Ni de 5% - de 9.8%, Cu |
Rênio do tungstênio | WRe | 5,0% re |
Tungstênio de Moly | MoW50 | 0,0% W |
Vantagens das peças da implantação de íon do tungstênio
(1) a camada da implantação de íon não tem nenhuma relação óbvia com o material de matriz, tão não há nenhuma fratura da adesão ou descascamento na superfície, e é ligada firmemente com a matriz.
(2) a implantação de íon pode exatamente controlar a distribuição da concentração e da profundidade de íons implantados controlando a dose da implantação, a energia da implantação e a densidade do feixe.
a implantação de íon (de 3) é realizada geralmente na temperatura ambiente e no vácuo. A superfície feita à máquina do workpiece está invisível e livre da oxidação. Pode manter a precisão dimensional original e a aspereza de superfície. É especialmente apropriado para o processo final de peças da elevada precisão.
(4) o esforço compressivo pode ser formado na camada de superfície do workpiece para reduzir as quebras de superfície.
(5) o vácuo alto limpo e o processo e os materiais não-tóxicos são adotados, a temperatura do tratamento é baixa, e o desempenho total do material a ser tratado não é afetado.
Aplicação: peças sobresselentes do implanter do íon do tungstênio para o semicondutor
1. A maioria de peças do tungstênio para a implantação de íon são usadas na indústria do semicondutor;
peças do tungstem do produto 2.We para a implantação de íon com alto densidade, pureza e precisão e estrutura interna homogênea;
3. Nossas peças do tungstênio para a implantação de íon são apropriadas para o implanter atual do feixe moderado e o implanter atual do feixe forte;
4. as peças do tungstênio para a implantação de íon são feitas de acordo com o desenho do cliente.
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